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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: - 作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 partial-depletion-silicon-on insulator  static random access memory  total-dose effects  power supply current   Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/17 floating body effect  hysteresis effect  back gate bias  partially depleted (PD) SOI   RELATIONSHIP BETWEEN SILICON-ON-INSULATOR KINK AND RADIATION EFFECTS 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS E-NUCLEAR PHYSICS, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 1409-1417 作者:  Cui Jiangwei;  Yu Xuefeng;  Ren Diyuan 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 SOI  kink  radiation   An analytical model for coplanar waveguide on silicon-on-insulator substrate with conformal mapping technique 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 10210 He,DW; Cheng,XH程新红; Wang,ZJ; Xu,DW; Song,ZR; Yu,YH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   Gate direct-tunnelling and hot-carrier-induced hysteresis effect in partially depleted silicon-on-insulator floating-body MOSFETs 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 75103 Zhou,JH; Pang,A; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   An analytical model for coplanar waveguide on silicon-on-insulator substrate with conformal mapping technique 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 10210 He, DW; Cheng, XH（重点实验室）; Wang, ZJ; Xu, DW; Song, ZR; Yu, YH（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251102-251102 Li,C; Chen,YH; Zhou,ZW; Lai,HK; Chen,SY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ROOM-TEMPERATURE  GERMANIUM  GAIN   EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR 期刊论文 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887 Zhang, B（重点实验室）; Chen, J; Wang, X（重点实验室）; Wu, AM; Luo, JX; Wang, X（重点实验室）; Zhang, MA; Wu, YX; Zhu, JJ; Yang, H（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Physics  Physics  Applied  Condensed Matter  Mathematical   Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251102 Li, C; Chen, YH; Zhou, ZW; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2008, 卷号: 17, 期号: 10, 页码: 3836-3840 作者:  Li, BS;  Zhang, CH;  Hao, XP;  Wang, DN;  Zhou, LH 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/29 positron annihilation  nanocavity  oxygen diffusion  silicon dioxide