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上海微系统与信息技... [11]
力学研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2022 [1]
2006 [2]
2005 [2]
2004 [3]
2002 [1]
1999 [1]
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Physics, ... [12]
Materials ... [1]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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Acoustic edge mode in spiral-based metamaterials at subwavelength scale
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2022, 卷号: 42, 页码: 106008
作者:
Yang T(杨洮)
;
Xiao BY(肖伯雅)
;
Feng YF(冯亚飞)
;
Pei DL(裴东亮)
;
Liu Y(刘宇)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2022/10/23
Spiral structure
Subwavelength
Topological phononic crystal
Total dose radiation tolerance of phase change memory cell with GeSbTe alloy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2557-2559
Wu, LC
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
AMORPHOUS THIN-FILMS
RANDOM-ACCESS MEMORY
GE2SB2TE5 FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
NONVOLATILE
GE20TE80-XBIX
IMPLANTATION
TEMPERATURE
TRANSITION
Study on the delamination of tungsten thin films on Sb2Te3
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 8, 页码: 1849-1854
Xu, JQ
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE
GE2SB2TE5 FILMS
STRESS
ADHESION
MICROSTRUCTURE
Phase transition phenomena in ultra-thin Ge2Sb2Te5 film
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1803-1805
Zhang, T
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Liu, WL
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
OVONIC UNIFIED MEMORY
CRYSTALLIZATION
Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
ION-BEAM METHOD
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
CELL-ELEMENT
RESISTANCE
IMPLANTATION
TRANSITION
ALLOYS
MEDIA
Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 1167-1170
Liu, B
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
;
Gan, FX
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
AMORPHOUS THIN-FILMS
OPTICAL DISK
TELLURIDE GLASSES
HIGH-DENSITY
CRYSTALLIZATION
TRANSITION
GE20TE80-XBIX
AG
Effect of annealing temperature on the microstructure and resistivity of Ge2Sb2Te5 films
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 1143-1146
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
REVERSIBLE PHASE-TRANSITION
AMORPHOUS THIN-FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
TELLURIDE GLASSES
MEMORY
CRYSTALLIZATION
SEMICONDUCTORS
GE20TE80-XBIX
Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 741-743
Zhang, T
;
Liu, B
;
Xia, JL
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
REVERSIBLE PHASE-TRANSITION
TELLURIDE GLASSES
CRYSTALLIZATION
SEMICONDUCTORS
GE20TE80-XBIX
Preparation of vanadium dioxide thin film with high temperature coefficient of resistance from V2O5 powder by ion beam enhanced deposition
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2002, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1788-1792
Li, JH
;
Yuan, NY
;
Chan, HLW
;
Lin, CL
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
PULSED-LASER DEPOSITION
TRANSITION
Thermodynamic and kinetic characteristics of glass transition in an amorphous alloy Pd77.5Ni6.0Si16.5
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 358-360
Ding, XZ
;
Liu, XH
;
Wu, QC
;
He, YZ
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/25
RELAXATION
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