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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [3]
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2004 [3]
学科主题
微电子学 [4]
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学科主题:微电子学
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Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Zhang Enxia
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2011/08/16
Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Li, N
;
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Fan, K
;
Zheng, ZS
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:127/22
  |  
提交时间:2010/03/29
SIMOX
fluorine
ionizing radiation
Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
收藏
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浏览/下载:167/30
  |  
提交时间:2010/03/29
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Li, N
;
Zhen, ZS
;
Liu, GH
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:141/31
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提交时间:2010/03/29
fluorine
SIMOX
charge trapping
radiation
SIO2
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