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科研机构
半导体研究所 [19]
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期刊论文 [19]
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2015 [1]
2012 [2]
2011 [1]
2009 [1]
2008 [3]
2005 [2]
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学科主题
半导体物理 [19]
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学科主题:半导体物理
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Chemical trends of stability and band alignment of lattice-matched II-VI/III-V semiconductor interfaces
期刊论文
physical review b, 2015, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: 075315
Hui-Xiong Deng
;
Jun-Wei Luo
;
Su-Huai Wei
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/03/29
Calculating Band Alignment between Materials with Different Structures: The Case of Anatase and Rutile Titanium Dioxide
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2012, 卷号: 116, 期号: 39, 页码: 20765-20768
Kang J (Kang, Jun)
;
Wu FM (Wu, Fengmin)
;
Li SS (Li, Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia, Jian-Bai)
;
Li J (Li, Jingbo)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/26
Calculating band alignment between materials with different structures: The case of anatase and rutile titanium dioxide
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2012, 卷号: 116, 期号: 39, 页码: 20765-20768
Kang, Jun
;
Wu, Fengmin
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/05/07
Study on Optical Properties of Type-II SnO2/ZnS Core/Shell Nanowires
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 15, 页码: 7225-7229
作者:
Li JB
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浏览/下载:37/2
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提交时间:2011/07/05
COLLOIDAL NANOCRYSTAL HETEROSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES
LATTICE DYNAMICS
TIN OXIDE
FILMS
NANOSTRUCTURES
SPECTRA
EXCITON
ARRAYS
RUTILE
Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 25, 页码: art. no. 252905
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
high-k dielectric thin films
MOS capacitors
work function
p-type doping of GaInNAs quaternary alloys
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 373, 期号: 1, 页码: 165-168
Shi HL
;
Duan YF
收藏
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浏览/下载:235/53
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提交时间:2010/03/08
First-principles
Alloy
Doping
Formation energy
Transition energy
Band offset
Valence band offset of MgO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: art. no. 072110
作者:
Wei HY
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Band alignment of InN/GaAs heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 12, 页码: art. no. 122111
Zhang, RQ
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Wei, HY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/03/08
PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
GAP STATES
CONTINUUM
LINEUPS
INN
Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954
作者:
Xu YQ
;
Niu ZC
;
Zhang W
;
Jiang DS
;
Han Q
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浏览/下载:66/31
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提交时间:2010/03/17
molecular beam epitaxy
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (InyGa1-yAs/GaAs1-x Sb-x)/ GaAs bilayer quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563
作者:
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浏览/下载:109/23
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提交时间:2010/03/17
bilayer quantum well
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