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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors   Comment on 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 156102 Zhou ZW; Li C; Chen SY; Lai HK; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/08 THERMAL-EXPANSION   Growth of GaSb layers on GaAs (001) substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1080-1084 Hao RT (Hao Ruiting); Xu YQ (Xu Yingqiang); Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang); Ren ZW (Ren Zhengwei); Ni HQ (Ni Haiqiao); He ZH (He Zhenhong); Niu ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2010/03/29 INFRARED PHOTODIODES   Structural ordering and interface morphology in symmetrically strained (GaIn)As/Ga(PAs) superlattices grown on off-oriented GaAs(100) 期刊论文 physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 8, 页码: 5276-5283 Giannini C; Tapfer L; Zhuang Y; De Caro L; Marschner T; Stolz W 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  SURFACE-MORPHOLOGY  ROUGHNESS  FILMS  HETEROSTRUCTURES  MULTILAYERS  INGAAS