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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Self-assembled GaAs quantum rings by MBE droplet epitaxy 会议论文 china international conference on nanoscience and technology (chinanano 2005), beijing, peoples r china, jun 09-11, 2005 Huang, SS (Huang, Shesong); Niu, ZC (Niu, Zhichuan); Xia, JB (Xia, Jianbai) 收藏  |  浏览/下载：233/75  |  提交时间：2010/03/29 quantum single rings  concentric quantum double rings  coupled concentric quantum double ring  droplet epitaxy   Extremely low density InAs quantum dots with no wetting layer 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1025-1028 Huang, SS (Huang She-Song); Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan); Ni, HQ (Ni Hai-Qiao); Zhan, F (Zhan Feng); Zhao, H (Zhao Huan); Sun, Z (Sun Zheng); Xia, JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/29 DROPLET EPITAXY   Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115324 Zhang MH; Guo LW; Li HW; Li W; Huang Q; Bao CL; Zhou JM; Liu BL; Xu ZY; Zhang YH; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 BEAM-EPITAXIAL GAAS  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Effect of arsenic precipitates on Fermi level in GaAs grown by molecular-beam epitaxy at low temperature 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: 2923-2925 Chen YH; Wang ZG; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  200-DEGREES-C  ABSORPTION  DEFECTS   Kinetic modeling of N incorporation in GaInNAs growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 214-216 Pan Z; Li LH; Zhang W; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE PULSED OPERATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUANTUM-WELLS  LASER-DIODE  TERTIARYBUTYLARSINE  GAAS   A Raman scattering study of GaAs: As films lifted off GaAs substrate 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 1999, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 629-631 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-GROWN GAAS   Arsenic clusters on the surface of vertically aligned InAs islands on GaAs substrate by annealing 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 19, 页码: 2951-2953 Fan TW; Mo QW; Lin F; Wang ZG; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  OPTICAL-PROPERTIES  LUMINESCENCE  GROWTH   ELECTRONIC SPECTROSCOPY STUDIES OF A P2S5NH4OH TREATED GAS(100) SURFACE 期刊论文 chinese physics, 1992, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 853-858 ZHONG ZT; LUO WZ; MOU SM; ZHANG KY; LI X; LI CF 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 SCHOTTKY-BARRIER  SODIUM SULFIDE  GAAS 100  PASSIVATION  MODEL