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半导体研究所 [200]
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学科主题:半导体材料
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AlN材料外延技术及其应用研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2017/05/27
金属有机化合物气相沉积(MOCVD)
深紫外LED
氮化铝(AlN)
成核层
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载:506/0
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
毕业论文 基于光子晶体慢光效应的光放大和激光器件研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
齐爱谊
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2014/06/11
光子晶体
慢光效应
LiNbO3
感应耦合等离子体刻蚀
半导体光放大器
带边模
面发射激光器
New observations for electron beam-induced instability of single-wall carbon nanotube
期刊论文
acta physica sinica, 2012, 卷号: 61, 期号: 3, 页码: 36401
Li, LX
;
Su, JB
;
Wu, Y
;
Zhu, XF
;
Wang, ZG
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/03/17
Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:
Cao YL
;
Yang T
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/07/05
WELL LASERS
DEPENDENCE
DIODE
GAIN
Far-field improvement of quantum cascade lasers through high-reflection coatings
期刊论文
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 127
作者:
Li L
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2011/07/05
OPERATION
TEMPERATURE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:86/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Conduction and Valence Band Discontinuities in Some New Semiconductor Heterojunctions
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2011, 卷号: 11, 期号: 11 s1, 页码: 9368-9383
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wu J (Wu Ju)
;
Li CM (Li Chengming)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/22
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2011/07/05
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
QUANTUM-DOTS
ANODIC ALUMINA
ARRAYS
PLACEMENT
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