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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427 Shi LW (Shi Liwei); Wang Q (Wang Qiang); Li YG (Li Yuguo); Xue CS (Xue Chengshan); Zhuang HZ (Zhuang Huizhao) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/04/11 ion implantation  annealing  chemical etching  photoluminescence  POROUS SILICON  LUMINESCENCE   Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 期刊论文 micron, 2004, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 475-480 Luo, XH; Wang, RM; Zhang, XP; Zhang, HZ; Yu, DP; Luo, MC 收藏  |  浏览/下载：145/32  |  提交时间：2010/03/09 transmission electron microscopy  electron energy loss spectroscopy  molecular beam epitaxy  gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXY  LAYER   Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 会议论文 international wuhan symposium on advanced electron microscopy (iwsaem), wuhan, peoples r china, oct 17-21, 2003 Luo XH; Wang RM; Zhang XP; Zhang HZ; Yu DP; Luo MC 收藏  |  浏览/下载：18/1  |  提交时间：2010/10/29 transmission electron microscopy  electron energy loss spectroscopy  molecular beam epitaxy  gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXY  LAYER