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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2010 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2001 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/12/12
DEPENDENCE
SPECTRA
Effect of small-angle scattering on the integer quantum Hall plateau
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 436-438
Shu Q
;
Lin YW
;
Xing XD
;
Yao JH
;
Pi B
;
Shu YC
;
Wang ZG
;
Xu JJ
收藏
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浏览/下载:266/7
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提交时间:2010/04/11
MAGNETIC-FIELD
HETEROSTRUCTURES
RESISTANCE
DEPENDENCE
Magnetic properties of silicon doped with gadolinium
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:321/10
  |  
提交时间:2010/08/12
METAL-INSULATOR-TRANSITION
BEAM EPITAXY TECHNIQUE
SEMICONDUCTING SILICIDES
INDUCED FERROMAGNETISM
FILMS
MAGNETORESISTANCE
TEMPERATURE
ALLOYS
Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103
Xu HZ
;
Bell A
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
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浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2010/08/12
gallium nitride
metalorganic vapor-phase epitaxy
photoluminescence
yellow luminescence
N-TYPE GAN
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
THIN-FILMS
DOPED GAN
DEEP LEVELS
ORIGIN
PHOTOLUMINESCENCE
DEPENDENCE
VACANCIES
EPITAXY
Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794
Zhuang QD
;
Li JM
;
Wang XX
;
Zeng YP
;
Wang YT
;
Wang BQ
;
Pan L
;
Wu J
;
Kong MY
;
Lin LY
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浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs
quantum dots
superlattice
annealing
X-ray
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INFRARED PHOTODETECTORS
STRAIN RELAXATION
LUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
DEPENDENCE
ABSORPTION
THRESHOLD
OPERATION
ISLANDS
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
hexagonal GaN
buffer layer
AFM
RHEED
CUBIC GAN
FILMS
GAAS
DEPENDENCE
NITRIDE
LAYERS
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