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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2002 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128
Zheng XH
;
Feng ZH
;
Wang YT
;
Zheng WL
;
Jia QJ
;
Jiang XM
;
Yang H
;
Liang JW
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提交时间:2010/08/12
nucleation layers
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWN GAN
SAPPHIRE SUBSTRATE
QUALITY
FILMS
BLUE
TEMPERATURE
EVOLUTION
Structural identification of a cubic phase in hexagonal GaN films grown on sapphire by gas-source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 183, 期号: 1-2, 页码: 31-37
Li XB
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Yoon SF
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提交时间:2010/08/12
SPATIALLY-RESOLVED CATHODOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
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