QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of Thickness on Properties of ZnO Films Grown on Si by MOCVD 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2069-2073 作者:  Wang Jun;  Wang Jun 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Preparation and characterization of Si sheets by renewed SSP technique 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 446-454 Ai B; Shen H; Ban Q; Wang XJ; Liang ZC; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：224/46  |  提交时间：2010/03/09 crystal structure   Micro-fabricated Al0.3Ga0.7As pyramids for potential SPM applications 会议论文 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 Sun, J; Hu, LZ; Sun, YC; Wang, ZY 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/03/29 GROWTH   Si doping effect on self-organized InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 603-607 Zhao Q; Feng SL; Ning D; Zhu HJ; Wang ZM; Deng YM 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/GaAs  scanning probe microscopy  doping effect  INAS  GROWTH  GAAS  GAAS(001)  ISLANDS  ATOMIC-FORCE MICROSCOPE   Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 nanometer island  InAs  molecular beam epitaxy  atomic force microscopy  quantum dot  GAAS  LASERS  GROWTH  ASSEMBLED QUANTUM DOTS