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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705 Liu GP; Wu J; Lu YW; Li ZW; Song YF; Li CM; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/02/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  INTERFACE ROUGHNESS  QUANTUM-WELLS  MOBILITY  HETEROJUNCTION  TRANSPORT  MODEL   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   Characterization of diphasic nc-Si/a-Si : H thin films and solar cells 会议论文 29th ieee photovoltaic specialists conference, new orleans, la, may 19-24, 2002 Zhang SB; Xu YY; Hu ZH; Wang YQ; Zeng XB; Diao HW; Wang WJ; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：22/7  |  提交时间：2010/10/29 SILICON  RAMAN   Surface morphology of ion-beam deposited carbon films under high temperature 期刊论文 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 2002, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 2072-2074 Liao MY; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Qin FG; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 ENERGY  NANOTUBES  SILICON  GROWTH   The structures and transformations on Si(113) surface 期刊论文 applied surface science, 1997, 卷号: 120, 期号: 0, 页码: 94-98 Feng KA; Mu XM; Lin ZD; Xing YR 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 ATOMIC-STRUCTURE  RECONSTRUCTION  DIAMOND  SI  SILICON  HYDROGEN  SI(100)  LEED  STM  GE   ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON 期刊论文 solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989 LEHTO N; MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/15 DISLOCATIONS  GERMANIUM  DISSOCIATION  ENERGY   A NEW TYPE OF SILICON-ON-INSULATOR WITH A PERFECT SURFACE SILICON LAYER 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1993, 卷号: 74, 期号: 0, 页码: 204-205 LI JM; CHONG M; ZHU JC 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/15