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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2002 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized InAs quantum dots emitting near 1.3 mu m
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 3-4, 页码: 432-438
作者:
Jin P
;
Ye XL
;
Li CM
;
Xu B
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
PHOTOLUMINESCENCE
The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24
Chen Z
;
Lu DC
;
Han P
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Li YF
;
Yuan HR
;
Lu Y
;
Bing LD
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wang XF
;
Yan L
收藏
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浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
SELF-ORGANIZED GROWTH
EPITAXIAL-GROWTH
GAAS
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SURFACTANT
ALGAAS
WIRE
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
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