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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2008 [2]
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:78/1
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
Resonant tunnelling diodes and high electron mobility transistors integrated on GaAs substrates
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 697-700
Huang YL
;
Ma L
;
Yang FH
;
Wang LC
;
Zeng YP
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提交时间:2010/04/11
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