×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2006 [1]
2000 [4]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:41/4
  |  
提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Residual donors in undoped LEC InP
会议论文
11th international semiconducting and insulating materials conference (simc-xi), canberra, australia, jul 03-07, 2000
Zhao YW
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Lin LY
;
Wu XW
;
Guo WL
;
Wu X
;
Bi KY
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/10/29
INDIUM-PHOSPHIDE
CARBON
DEFECTS
GROWTH
Semi-insulating GaAs grown in outer space
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaAs
outer space
microgravity
integrated circuit
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
LEC-GAAS
DEFECTS
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
CARBON
BORON
Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
compound semiconductors
point defects
deep level centres
stoichiometry
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS SINGLE-CRYSTALS
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRICAL-PROPERTIES
LATTICE-PARAMETER
NATIVE DEFECTS
CARBON
DIFFRACTOMETER
STOICHIOMETRY
Semi-insulating GaAs grown in outer space
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2010/11/15
GaAs
outer space
microgravity
integrated circuit
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
LEC-GAAS
DEFECTS
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
CARBON
BORON
DIRECT ION-BEAM DEPOSITION OF CARBON-FILMS ON SILICON IN THE ION ENERGY-RANGE OF 15-500 EV
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 10, 页码: 5623-5627
LAU WM
;
BELLO I
;
FENG X
;
HUANG LJ
;
QIN FG
;
YAO ZY
;
REN ZZ
;
LEE ST
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/15
DIAMOND-LIKE FILMS
IONIZED DEPOSITION
REACTIVE IONS
THIN-FILMS
GROWTH
SURFACES
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace