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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：74/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD   A novel technique for predicting ionizing radiation effects of commercial MOS devices 期刊论文 chinese physics, 2004, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 948-953 Zhang GQ; Qi G; Erkin; Wu L; Ren DY 收藏  |  浏览/下载：153/32  |  提交时间：2010/03/09 prediction