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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39 作者:  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  P. Chen;  J.J. Zhu 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/11/30 Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted GaN 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: art. no. 025107 作者:  Yang H;  Lu GJ;  Zhang SM;  Zhao DG;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：66/1  |  提交时间：2010/03/08 LUMINESCENCE