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Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 028101-1-028101-5
作者: 苏少坚; 汪巍; 张广泽; 左玉华; 薛春来

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采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中

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Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响 期刊论文
半导体光电, 2009, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 541-545
作者: 颜廷静; 陈良惠

收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/23

纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能 期刊论文
物理化学学报, 2009, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 1523-1529
作者: 季安; 刘剑; 李贵柯; 王晓东; 梁继然

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有机／无机杂化SiO_2／Si光波导薄膜的制备及表征 期刊论文
半导体光电, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 525-527
作者: 王玥

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Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 674-677
作者: 安俊明; 李健; 李健

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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑，技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者: 王玉田; 张书明; 朱建军

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在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究 期刊论文
光学学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 1279-1282
作者: 韩培德; 安俊明; 李健; 李健

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脊形结构GaN蓝光激光器的热模拟分析 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1680-1684
作者: 陈良惠

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