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科研机构
半导体研究所 [6]
北京大学 [1]
兰州大学 [1]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2002 [8]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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发表日期:2002
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Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of gan by mocvd
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734
作者:
Feng, G
;
Fu, Y
;
Xia, JS
;
Zhu, JJ
;
Zhang, BS
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Crystallographic tilt in gan layers grown by epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467
作者:
Feng, G
;
Zheng, XH
;
Zhu, JJ
;
Shen, XM
;
Zhang, BS
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Epitaxial lateral overgrowth
Crystallographic tilt
Double crystal x-ray diffraction
一次高原强降雪过程三维对称不稳定数值模拟研究
期刊论文
高原气象, 2002, 期号: 2, 页码: 132-138
作者:
王文
;
刘建军
;
李栋梁
;
翟志宏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/07/18
高原暴雪
三维对称不稳定
数值模拟
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown gan using selective etching
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Feng, G
;
Zheng, XH
;
Fu, Y
;
Zhu, JJ
;
Shen, XM
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Etching
Metalorganic vapor-phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting iii-v materials
Study on the interaction between distamycin analogs and DNA from herring sperm by fluorimetry
期刊论文
中国化学快报英文版, 2002
Liang, H
;
Li, JJ
;
Li, XD
;
Tang, FL
;
Yuan, G
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/16
distamycin analogs
fluorescence quenching
DNA from herring sperm
Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
epitaxial lateral overgrowth
crystallographic tilt
double crystal X-ray diffraction
FILMS
DEFECTS
GAAS
Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEPOSITION
LAYERS
FILMS
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
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