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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaN/GaN heterostructures  In-doping  2DEG  electron sheet density  X-ray diffraction  etching  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MOBILITY  GROWTH  FILMS   Strain and photoluminescence characterization of cubic (In,Ga)N films grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: 3711-3714 Sun XL; Wang YT; Yang H; Zheng LX; Xu DP; Li JB; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 PHASE-SEPARATION  GAN   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS ISLANDS  INP(001)  GROWTH  GAAS  SEMICONDUCTORS  THICKNESS  LASERS  INGAAS  SIZE   Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Anomalous temperature dependence of photoluminescence from InAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 5, 页码: 2529-2532 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 WELLS  (IN  GA)AS/GAAS   Ultraviolet-blue electroluminescence from Gd3Ga5O12 : Ag 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 5, 页码: 672-674 Xu XL; Xu Z; Hou YB; Su YM; Xu XR; Wang XW; Tong WS 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 SRS-CU  PHOSPHORS  DEVICES  GROWTH   Photoluminescence and electroluminescence of (Gd2O3-Ga2O3): Ce thin film 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 4a, 页码: 1769-1770 Xu XL; Hou YB; Xu Z; Wang XW; Xu XR 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 thin film electroluminescence  photoluminescence  (Gd2O3-Ga2O3): Ce  SRS-CU  PHOSPHORS  DEVICES  GROWTH   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 期刊论文 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS  Al)As/InAlAs/InP   Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Liu XL; Yuan HR; Lu DC; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 Mg-doped  AlGaN/GaN superlattices  resistivity  hole concentration  POLARIZATION