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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Wei Meng;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Wang Cui-Mei;  Pan Xu 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001 Zhang, Renping; Yan, Wei; Wang, Xiaoliang; Yang, Fuhua 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/06/14 Aspect ratio  Current density  Drain current  Electric network analysis  Electric network analyzers  Electron mobility  Fabrication  Gallium nitride  Ohmic contacts  Passivation  Silicon nitride  Silicon wafers   Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON