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Nitride semiconductor heterostructures and related methods 专利
专利号: US7638346, 申请日期: 2009-12-29, 公开日期: 2009-12-29
作者:  SCHOWALTER, LEO J.;  SMART, JOSEPH A.;  LIU, SHIWEN;  MORGAN, KENNETH E.;  BONDOKOV, ROBERT T.
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Defect evolution and accompanied change of electrical properties during the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2009, 卷号: 487, 期号: 1-2, 页码: 400-403
作者:  Yang H(杨辉);  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/01/15
Influence of penetrating v-pits on leakage current of gan based p-i-n uv detector 期刊论文
Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者:  Zhang Shuang;  Zhao De-Gang;  Liu Zong-Shun;  Zhu Jian-Jun;  Zhang Shu-Ming
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12
Effects of alloying Re and Ru in the edge-dislocation core of the Ni/Ni3Al interface 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3928-3933
作者:  Wang Cong;  Wang Chong-Yu
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2021/02/02
Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS , 2009, 卷号: 28, 期号: 7
作者:  Yang H(杨辉);  Zhang SM;  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/01/15
EFFECT OF TWIN LAMELLAR THICKNESS ON THE FATIGUE PROPERTIES OF NANO-TWINNED Cu 期刊论文
ACTA METALLURGICA SINICA, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 808-814
作者:  Tang Lian;  Lu Lei
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Transmission electron microscopy investigation of the micro-defects in Czochralski silicon 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2008.11.148, 2009
Xu, J.; Wang, W. Q.; Yang, D. R.; Moeller, H. J.; 徐进
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High-resolution X-ray diffraction analysis on HVPE-grown thick GaN layers 会议论文
2nd International Symposium on Growth of III Nitrides (ISGN-2), Laforet Shuzenji, JAPAN, JUL 07-09, 2008
作者:  Hu XJ (胡晓剑);  Xu K (徐科);  Yang H (杨辉);  Wang JF (王建峰);  Xu Y (徐俞)
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Distribution of dislocations in gasb and insb epilayers grown on gaas (001) vicinal substrates 期刊论文
Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: 4
作者:  Li, Meicheng;  Qiu, Yongxin;  Liu, Guojun;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in inn films grown by mocvd 期刊论文
Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:  Zhang Zeng;  Zhang Rong;  Xie Zi-Li;  Liu Bin;  Xiu Xiang-Qian
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