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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence study of (gaas1-xsbx/inyga1-yas)/gaas bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954 作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Bilayer quantum well  Type-ii luminescence   Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (inyga1-yas/gaas1-x sb-x)/ gaas bilayer quantum wells 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563 作者:  Niu, ZC;  Xu, XH;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  He, ZH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Bilayer quantum well  Photoluminescence  Mbe  Gaas1-x  Sb-x/ln(y)ga(1-y)as   Abnormal lattice expansion and double periodicity in La0.7Sr0.3MnO3 thin films under electron irradiation 期刊论文 Journal of Materials Research, 2005, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 1778-1784 M. Zhang; X. L. Ma; D. X. Li; H. B. Lu; Z. H. Chen; G. Z. Yang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/04/14 perovskite-type oxides  molecular-dynamics  fuel-cells  magnetoresistance   Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954 作者:  Xu YQ;  Niu ZC;  Zhang W;  Jiang DS;  Han Q 收藏  |  浏览/下载：66/31  |  提交时间：2010/03/17 molecular beam epitaxy   Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (InyGa1-yAs/GaAs1-x Sb-x)/ GaAs bilayer quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：109/23  |  提交时间：2010/03/17 bilayer quantum well