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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  III-V semiconductors  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE-QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  BEHAVIOR  LAYER   Very low-pressure VLP-CVD growth of high quality gamma-Al2O3 films on silicon by multi-step process 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 261-266 Tan LW; Zan YD; Wang J; Wang QY; Yu YH; Wang SR; Liu ZL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：83/3  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3 FILMS  SI   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA