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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960 Lu LW; Yan H; Yang CL; Xie MH; Wang ZG; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE  ENERGY   Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 395-400 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  nanomaterials  quantum dots  semiconducting III-V materials  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  EXCITED-STATES  INXGA1-XAS  GROWTH  LASERS  INP   The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  III-V semiconductors  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE-QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  BEHAVIOR  LAYER   Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS   Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized InAs quantum dots emitting near 1.3 mu m 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 3-4, 页码: 432-438 作者:  Jin P;  Ye XL;  Li CM;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  PHOTOLUMINESCENCE   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：101/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE   Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358 作者:  Xu B;  Jiang DS;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  laser diodes  1.3 MU-M  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  1.3-MU-M  PHOTOLUMINESCENCE  GAIN   Magnetic property and interlayer segregation in spin valve metal multilayers 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 140-145 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Chai CL; Jiang HW; Lai WY 收藏  |  浏览/下载：124/19  |  提交时间：2010/08/12 NiFe/FeMn  NiFe/Cu/NiFe/FeMn  interlayer segregation  exchange coupling field H-ex  X-ray photoelectron spectroscopy( XPS)  UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY  EXCHANGE BIAS  FILMS  BILAYERS  LAYERS  DEPENDENCE  INTERFACES  FIELD  MODEL