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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2001    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：104/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAASN  LASER  OPERATION  ALLOYS  GROWTH  GAAS   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：147/24  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Optical properties and band lineup in GaNxAs1-x/GaAs single quantum wells 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29 Luo XD; Xu ZY; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：102/4  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  band offset  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GANAS/GAAS  1.3-MU-M  GAASN   Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960 Luo XD; Xu ZY; Ge WK; Pan Z; Li LH; Lin YW 收藏  |  浏览/下载：124/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BAND-GAP ENERGY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  GANXAS1-X  EMISSION  NITROGEN  ALLOYS  SHIFT  GANAS