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浏览/检索结果: 共35条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Different transfer paths for thermally activated electrons and holes in self-organized Ge/Si(001) islands in a multilayer structure 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 14, 页码: 2006-2008 Huang CJ; Tang Y; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：85/7  |  提交时间：2010/08/12 STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS  II BAND ALIGNMENT  PHOTOLUMINESCENCE  GE  EXCITONS  GAP  SI   Experimental investigation of photoluminescence dynamics of cavity polaritons under nonresonant excitation 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 37, 页码: 8467-8474 Liu BL; Xu ZY; Wang BS; Deng YM; Yang FH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：96/12  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTOR MICROCAVITIES  SPONTANEOUS EMISSION  EXCITON  SCATTERING   Growth and photoluminescence of epitaxial CeO2 film on Si (111) substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 443-444 Gao F; Li GH; Zhang JH; Qin FG; Yao ZY; Liu ZK; Wang ZG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：105/9  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  THIN-FILMS  DEPOSITION  EMISSION  LAYERS   Thermodynamic model of hydrogen-induced silicon surface layer cleavage 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 11 part.1., 页码: 6551-6553 作者:  Han WH 收藏  |  浏览/下载：108/16  |  提交时间：2010/08/12 INDUCED EXFOLIATION   Photoluminescence of nanocrystalline SiC films prepared by rf magnetron sputtering 期刊论文 chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: suppl.s., 页码: s36-s39 Liu JW; Xie FQ; Zhong DY; Wang EG; Liu WX; Li SF; Yang H 收藏  |  浏览/下载：90/7  |  提交时间：2010/08/12 luminescence  SiC  nanocrystalline film  rf sputtering  RAMAN-SCATTERING   Shape evolution of Ge/Si(001) islands induced by strain-driven alloying 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 24, 页码: 3881-3883 Huang CJ; Zuo YH; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：97/12  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  TRANSITION  GROWTH  GE  SI(001)  PATHWAY   High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080 nm 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 18, 页码: 2868-2870 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：216/69  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE   Structural, optical and intraband absorption properties of vertically aligned In0.32Ga0.68As/GaAs quantum dots superlattices 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2001, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 384-390 Zhuang QD; Yoon SF; Li HX; Li JM; Zeng YP; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：93/7  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  superlattice  vertical alignment  photoluminescence  infrared absorption  INFRARED PHOTODETECTORS  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  DETECTOR   Radiative recombination characteristics in GaAs multilayer n(+)-i interfaces 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446 Shen WZ; Jiang LF; Yu G; Lai ZY; Wang XG; Shen SC; Cao X 收藏  |  浏览/下载：95/14  |  提交时间：2010/08/12 FAR-INFRARED DETECTORS  SI-DOPED GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYERS   Mechanisms for extra conductance plateaus in quantum wires 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: art.no.033315 Hirose K; Li SS; Wingreen NS 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  SIMPLE-METAL NANOWIRES  TRANSPORT  MODEL