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上海微系统与信息技术... [2]
大连理工大学 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2000 [3]
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Instrument... [1]
Physics, A... [1]
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Structural and electrical characteristics of oxygen-implanted 6H-SiC
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2000, 卷号: 169, 页码: 1-5
Wang, LW
;
Huang, JP
;
Duo, XZ
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Zetterling, CM
;
Ostling, M
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提交时间:2012/03/24
ENHANCED THERMAL-OXIDATION
SILICON-CARBIDE
ION-IMPLANTATION
AMORPHIZATION
LAYERS
Investigation of damage behaviour and isolation effect of n-type 6H-SiC by implantation of oxygen
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1551-1555
Wang, LW
;
Huang, JP
;
Duo, XZ
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Zetterling, CM
;
Ostling, M
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2012/03/24
ENHANCED THERMAL-OXIDATION
ION-IMPLANTATION
SILICON-CARBIDE
AMORPHIZATION
LAYERS
Early-stage Widmanstatten growth of the gamma phase in a duplex steel
期刊论文
METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS A-PHYSICAL METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE, 2000, 卷号: 31, 页码: 15-19
作者:
Shek, CH
;
Dong, C
;
Lai, JKL
;
Wong, KW
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提交时间:2020/01/02
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