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A semiconductor material comprising two dopants 专利
专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
作者:  ALISTAIR, HENDERSON, KEAN;  HARUHISA, TAKIGUCHI
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Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same 专利
专利号: US6141364, 申请日期: 2000-10-31, 公开日期: 2000-10-31
作者:  ADACHI, HIDETO;  KAMIYAMA, SATOSHI;  KIDOGUCHI, ISAO;  UENOYAMA, TAKESHI;  MANNOH, MASAYA
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Semiconductor device with low parasitic capacitance 专利
专利号: CA2290048A1, 申请日期: 2000-06-01, 公开日期: 2000-06-01
作者:  WICKSTROM MIKAEL;  JONSSON JAN
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Transistor and semiconductor device 专利
专利号: WO2000030183A1, 申请日期: 2000-05-25, 公开日期: 2000-05-25
作者:  KAWASAKI, MASASHI;  OHNO, HIDEO
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Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers 专利
专利号: US6011810, 申请日期: 2000-01-04, 公开日期: 2000-01-04
作者:  HALLER, EUGENE E.;  BRUNDERMANN, ERIK
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Effect of external noise on the propagation of a charged particle in a one-dimensional system with an impurity 期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 2000, 卷号: 275, 期号: 4, 页码: 306
Zhang, AZ; Duan, SQ; Zhao, XG; Liang, JQ
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Ru(bpy)2(NCS)2染料敏化CdS/Zn2+-TiO2复合半导体纳米多孔膜的光电化学 其他
2000-01-01
张莉; 王艳芹; 杨迈之; 高恩勤; 蔡生民
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Synthesis of novel multi-chromophoric soluble perylene derivatives and their photosensitizing properties with wide spectral response for SnO2 nanoporous electrode 期刊论文
材料化学杂志, 2000
Tian, H; Liu, PH; Zhu, WH; Gao, EQ; Da-Jun, WA; Cai, SM
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The numerical simulation of continuous Nd : YAG laser-annealing of InP 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1117/12.408430, 2000
Fu, RW; Cai, ZH; Chen, C; Markevich, MI; Chaplanov, AM; Chu, JH; Liu, P; Chang, Y; 陈朝
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