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Novel coupled multi-active region high power semiconductor lasers cascaded via tunnel junction 期刊论文
Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2374-2377
作者:  Lian, P;  Yin, T;  Gao, G;  Zou, DS;  Chen, CH
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High-performance strain-compensated ingaas/inalas quantum cascade lasers 期刊论文
Semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 12, 页码: L44-l46
作者:  Liu, FQ;  Zhang, YZ;  Zhang, QS;  Ding, D;  Xu, B
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
Effects of interdiffusion on the luminescence of inas/gaas quantum dots covered by ingaas overgrowth layer 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 3, 页码: 216-219
作者:  Liu, HY;  Wang, XD;  Wei, YQ;  Xu, B;  Ding, D
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
InGaAs薄膜电共沉积研究 期刊论文
http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9304.shtml, 2000
李浴春; 王喜莲; 韩竞科; 韩爱珍; 高元恺; 杨志伟; LI Yu chun; WANG Xi lian; HAN Jing ke; HAN Ai zhen; GAO Yuan kai; YANG Zhi wei
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/11/18
Vertical-cavity laser and laser array incorporating guided-mode resonance effects and method for making the same 专利
专利号: US6154480, 申请日期: 2000-11-28, 公开日期: 2000-11-28
作者:  MAGNUSSON, ROBERT;  YOUNG, PRESTON P.;  SHIN, DONGHO
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24
Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent inas/gaas quantum dots 期刊论文
Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 5433-5436
作者:  Liu, HY;  Xu, B;  Chen, YH;  Ding, D;  Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12
Study of self-assembled inas quantum dot structure covered by inxga1-xas(0 <= x <= 0.3) capping layer 期刊论文
Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2230-2234
作者:  Wang, XD;  Liu, HY;  Niu, ZC;  Feng, SL
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12
1.35 mu m photoluminescence from in0.5ga0.5as/gaas islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (inas)(1)/(gaas)(1) monolayer deposition 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 16-22
作者:  Wang, XD;  Niu, ZC;  Feng, SL;  Miao, ZH
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12
Structural and optical characterization of inas nanostructures grown on (001) and high index inp substrates 期刊论文
Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196
作者:  Li, YF;  Ye, XL;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ding, D
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発光素子およびその製法 专利
专利号: JP3121202B2, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-12-25
作者:  白木 靖寛;  深津 晋;  大森 宣典;  奥 秀彦
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