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内容类型
期刊论文 [111]
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发表日期
1999 [133]
学科主题
半导体材料 [7]
Crystallog... [5]
crystallog... [3]
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chemistry [2]
半导体物理 [2]
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共133条,第1-10条
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发表日期:1999
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80
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Two-dimensional ordering of self-assembled inxgal-xas quantum dots grown on gaas(311)b surfaces
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286
作者:
Xu, HZ
;
Jiang, WH
;
Xu, B
;
Zhou, W
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Two-dimensional (2d) ordering
Quantum dot array
Inxga1-xas
Self-assembly
Molecular beam epitaxy
Gaas(311)b
High index
Effect of si overgrowth on the structural and luminescence properties of ge islands on si(100)
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153
作者:
Liu, JP
;
Wang, JZ
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Sun, DZ
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of Si overgrowth on the structural and luminescence properties of Ge islands on Si(100)
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153
作者:
Liu, JP
;
Wang, JZ
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Sun, DZ
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2021/02/02
Effect of si doping on cubic gan films grown on gaas(100)
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Li, JB
;
Li, SF
;
Wang, YT
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Cubic
Hexagonal
Photoluminescence
Xrd
Synthesis, structure of a new acceptor TBA(2)S(6) and preparation, physical properties of ET3S6
期刊论文
SYNTHETIC METALS, 1999, 卷号: 105, 期号: 3, 页码: 155-159
作者:
Zhang, QC
;
Wu, PJ
;
Chen, SY
;
Ding, RS
;
Wang, YQ
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2019/04/09
Polysulphide Compound
Crystal Structure
Synthesis
Organic Conductor
Charge Transfer
Physical Properties
Bis(Ethylenedithio)Tetrathiofulvalene
A quasi-layer structure of trinuclear molybdenum(IV) cluster, Mo3S7(S2CNEt2)(3) I center dot S-8
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1023/A:1009572717043, 1999
Lu, C. Z.
;
Zhuang, J. N.
;
Chi, L. S.
;
Wang, Y. G.
;
Huang, J. S.
;
Zhuang, H. H.
;
Zhang, Q. E.
;
张乾二
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2013/12/12
M = MO
CRYSTAL-STRUCTURE
COMPLEXES
CHEMISTRY
Self-organization of wire-like inas nanostructures on inp
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 613-617
作者:
Li, HX
;
Zhuang, QD
;
Kong, XW
;
Wang, ZG
;
Daniels-Race, T
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum wires
Inas/inp
Molecular beam epitaxy
Self-organization
Two-dimensional ordering of self-assembled inxga1-xas quantum dots grown on gaas(311)b surfaces
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488
作者:
Xu, HZ
;
Jiang, WH
;
Xu, B
;
Zhou, W
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Two-dimensional (2d) ordering
Quantum dot array
Inxga1-xas
Self-assembly
Molecular beam epitaxy
Gaas(311)b
High-index
Fabrication of ingaas quantum dots with an underlying ingaalas layer on gaas(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612
作者:
Jiang, WH
;
Xu, HZ
;
Xu, B
;
Wu, J
;
Ye, XL
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dots
Ingaas/ingaalas
Adjusting layer
Molecular beam epitaxy
High index
Self-assembled inas and in0.9al0.1as quantum dots on (001)inp substrates grown by molecular beam epitaxy (mbe)
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 204, 期号: 1-2, 页码: 24-28
作者:
Sun, ZZ
;
Liu, FQ
;
Ding, D
;
Xu, B
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Self-assembled quantum dots
In0.9al0.1as/inalas/inp
Molecular beam epitaxy
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