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内容类型
期刊论文 [52]
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专利 [1]
发表日期
1999 [57]
学科主题
半导体材料 [18]
半导体物理 [13]
光电子学 [3]
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Materials ... [2]
Physics, M... [2]
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共57条,第1-10条
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发表日期:1999
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70
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85
90
95
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量子井戸構造をもつ半導体装置
专利
专利号: JP2964161B2, 申请日期: 1999-08-13, 公开日期: 1999-10-18
作者:
杉山 芳弘
;
北田 秀樹
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
The growth of sic on si substrates with c2h4 and si2h6
期刊论文
Applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195
作者:
Wang, YS
;
Li, JM
;
Lin, LY
;
Zhang, FF
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Si
Sic
Epitaxial growth
Rheed
Raman spectrum
A novel crystal defect in epitaxial wurtzite gallium nitride film
期刊论文
Materials Letters, 1999, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 202-207
S. Q. Wang
;
C. P. Liu
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/04/14
crystal defect
wurtzite GaN
epitaxial growth
high-resolution electron
microscopy
molecular-beam epitaxy
electron-microscopy characterization
gan
diffraction
boundaries
sapphire
software
growth
domain
mocvd
Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of topmost surface for LaNiO3 thin film grown on SrTiO3 substrate by laser molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 1999, 卷号: 137, 期号: 1-4, 页码: 98
Chen, P
;
Xu, SY
;
Lin, J
;
Ong, CK
;
Cui, DF
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/17
FERROELECTRIC PROPERTIES
ELECTRODE
In situ reflection high-energy electron diffraction observation of epitaxial LaNiO3 thin films
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 85, 期号: 5, 页码: 3000
Chen, P
;
Xu, SY
;
Zhou, WZ
;
Ong, CK
;
Cui, DF
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/09/17
PULSED-LASER DEPOSITION
FERROELECTRIC PROPERTIES
O HETEROSTRUCTURES
GROWTH
Interfacial structure of molecular beam epitaxial grown cubic-GaN films on GaAs(001) probed by x-ray gazing-angle specular reflection
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 74, 期号: 20, 页码: 2981
Li, JH
;
Chen, H
;
Cai, LC
;
Cui, SF
;
Yu, WX
;
Zhou, JM
;
Huang, Q
;
Mai, ZH
;
Zheng, WL
;
Jia, QJ
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/18
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPE
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAAS
ZINCBLENDE
Interfacial structure of molecular beam epitaxial grown cubic-GaN films on GaAs(001) probed by x-ray gazing-angle specular reflection
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 74, 期号: 20, 页码: 2981-2983
作者:
Li, JH
;
Chen, H
;
Cai, LC
;
Cui, SF
;
Yu, WX
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/06/29
Efficient Si-based light-emitting materials fabricated by Si- and N-coimplanted SiO2 films
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 1999, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 78-82
Zhao, J
;
Mao, DS
;
Lin, ZX
;
Yu, YH
;
Liu, XH
;
Yang, GQ
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/25
SEQUENTIAL ION-IMPLANTATION
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICA GLASS
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
THERMAL SIO2-FILMS
OXIDE-FILMS
LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
LAYERS
GE
Impact-induced chemisorption of C2H2 on diamond(001) surfaces: a molecular dynamics simulation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1999, 卷号: 153, 期号: 1-4, 页码: 213-217
Zhu, WJ
;
Pan, ZY
;
Ho, YK
;
Man, ZY
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
FILMS
Effect of annealing on SiC thin films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 1999, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 2099-2102
Huang, JP
;
Wang, LW
;
Wen, J
;
Wang, YX
;
Lin, CL
;
Ostling, M
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CUBIC SILICON-CARBIDE
EPITAXIAL-GROWTH
TEMPERATURE
ABLATION
DEVICES
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