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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High phosphorous doping and morphological evolution during si growth by gas source molecular beam epitaxy (gsmbe) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  Surface morphology  Morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution   Observation of defects in a C3N4/diamond/Si structure by infrared light scattering tomography 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1999, 卷号: 11, 期号: 20, 页码: L191 Ma, MY; Tsuru, T; Ogawa, T; Mai, ZH; Wang, CY; Guo, JG; Ma, XC; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/24 CZOCHRALSKI SILICON  FILMS  CRYSTALS  DIAMOND  SOLIDS  PHASE  C3N4   Double twist in helical polymer "soft" crystals 期刊论文 physical review letters, 1999, 卷号: 83, 期号: 22, 页码: 4558-4561 Li CY; Cheng SZD; Ge JJ; Bai F; Zhang JZ; Mann IK; Harris FW; Chien LC; Yan DH; He TB; Lotz B 收藏  |  浏览/下载：147/0  |  提交时间：2010/11/04 LIQUID-CRYSTALS  PHASE  PROTEINS  DEFECTS  SHEETS   Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 530-533 Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  stacking faults  vacancy  strain relaxation  silicon  germanium  SI(100)  LAYERS  FILMS  THREADING DISLOCATION   TEM study of dislocations in ZnTe/GaAs heterostructure grown by hot-wall epitaxy 期刊论文 defect and diffusion forum, 1999, 卷号: 174, 期号: 0, 页码: 59-65 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 HREM  large-angle stereo-projection  misfit dislocations  stacking faults  TEM  LAYER  SUPERLATTICES  ELECTRON-MICROSCOPY   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 Liu JP; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  DEPOSITION   Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses 会议论文 conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Chen BW; Yu JZ; Wang QM; Xie DT; Wu JG; Xu DF; Xu GX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 Er-doped silica glass  sol-gel process  photoluminescence  PLANAR WAVE-GUIDES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRYSTAL SILICON  IMPLANTED SI  LUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE  FABRICATION  IMPURITIES  FILMS  IONS