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Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method 专利
专利号: US5981977, 申请日期: 1999-11-09, 公开日期: 1999-11-09
作者:  FURUKAWA, CHISATO;  SUGAWARA, HIDETO;  ISHIKAWA, MASAYUKI;  SUZUKI, NOBUHIRO
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
从微生物发酵液中分离提取PHB 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 1999
秦杰
收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2013/09/27
面発光半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2993167B2, 申请日期: 1999-10-22, 公开日期: 1999-12-20
作者:  高村 孝士
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利
专利号: US5966396, 申请日期: 1999-10-12, 公开日期: 1999-10-12
作者:  OKAZAKI, HARUHIKO;  FUJIMOTO, HIDETOSHI;  ISHIKAWA, MASAYUKI;  NUNOUE, SHINYA;  HATAKOSHI, GENICHI
收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2020/01/18
量子井戸構造をもつ半導体装置 专利
专利号: JP2964161B2, 申请日期: 1999-08-13, 公开日期: 1999-10-18
作者:  杉山 芳弘;  北田 秀樹
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Theoretical examination of electroosmosis control with external radial electric field in capillary electrophoresis 期刊论文
ELECTROPHORESIS, 1999, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 1817-1821
作者:  Chen, Y;  Zhu, Y
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/09
The growth of sic on si substrates with c2h4 and si2h6 期刊论文
Applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195
作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Lin, LY;  Zhang, FF
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12
Optical Semiconductor device with carrier recombination layer 专利
专利号: US5917846, 申请日期: 1999-06-29, 公开日期: 1999-06-29
作者:  MORIMOTO, TAKAO
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
面発光型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2934678B2, 申请日期: 1999-06-04, 公开日期: 1999-08-16
作者:  伊賀 健一;  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  石川 徹
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18
Quantum wire laser diode fabrication method 专利
专利号: US5904492, 申请日期: 1999-05-18, 公开日期: 1999-05-18
作者:  MIN, SUK-KI;  KIM, EUN KYU
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26

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