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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells 会议论文 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 double multi-quantum wells  photocurrent spectra  ZnCdSe-ZnSe  SPECTROSCOPY  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  PHOTODETECTORS   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  GE  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE   Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  cubic  hexagonal  photoluminescence  XRD  DOPED GAN  SILICON  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  LIGHT-EMITTING DIODES   Size quantization effects in InAs self-assembled islands on InP(001) at the onset of 2D-to-3D transition 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 4, 页码: 789-793 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled island  size quantization effect  molecular beam epitaxy  EXCITED-STATES  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  QUANTUM DOTS   Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs/InGaAlAs  adjusting layer  molecular beam epitaxy  high index  GAAS   Uniformity enhancement of the self-organized InAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 372-375 Zhu HJ; Wang ZM; Wang H; Cui LQ; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THRESHOLD  GROWTH  LASER   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 期刊论文 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 528-531 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE  GE   Indium composition dependence of the size uniformity of InGaAs quantum dots on (311)B GaAs grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of materials science & technology, 1999, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 523-526 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 INAS ISLANDS  MONOLAYER COVERAGE  SELF-ORGANIZATION  ROOM-TEMPERATURE  SURFACES   Cubic InGaN grown by MOCVD 期刊论文 mrs internet journal of nitride semiconductor research, 1999, 卷号: 4, 期号: 0, 页码: art.no.g3.25 Li JB; Yang H; Zheng LX; Xu DP; Wang YT 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAN  GAAS   Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  atomic-terminated surface  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MONOLAYER COVERAGE  INAS  GAAS  GE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION