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面発光型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2864258B2, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1999-03-03
作者:  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  川島 健児;  石川 徹
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Semiconductor laser devices 专利
专利号: US5844931, 申请日期: 1998-12-01, 公开日期: 1998-12-01
作者:  SAGAWA, MISUZU;  HIRAMOTO, KIYOHISA;  TSUCHIYA, TOMONOBU;  TOYONAKA, TAKASHI;  SHINODA, KAZUNORI
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Surface-emission type light-emitting diode and fabrication process therefor 专利
专利号: US5821569, 申请日期: 1998-10-13, 公开日期: 1998-10-13
作者:  DUTTA, ACHYUT KUMAR
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP2827130B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-18
作者:  尾内 敏彦
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光半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2827411B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
作者:  寺門 知二;  味澤 昭;  山口 昌幸;  小松 啓郎
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2821600B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-05
作者:  池田 昌夫;  森田 悦男
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The effect of buried alxga1-xn isolating layers on the transport properties of gan deposited on sapphire substrate by molecular beam epitaxy using nh3 期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 471-474
作者:  Zhang, JP;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Li, XB;  Kong, MY
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The dependence of growth rate of gan buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 23-27
作者:  Liu, XL;  Lu, DC;  Wang, LS;  Wang, XH;  Wang, D
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Light emitting device and its fabrication method 专利
专利号: EP0709939B1, 申请日期: 1998-08-26, 公开日期: 1998-08-26
作者:  TAN, MICHAEL R.T.;  WANG, SHIH-YUAN;  YUEN, ALBERT T.
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Blue light-emitting device 专利
专利号: US5798537, 申请日期: 1998-08-25, 公开日期: 1998-08-25
作者:  NITTA, KOICHI
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