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Epitaxial InxGa(1-x)As having a slanted crystallographic plane azimuth 专利
专利号: US5569954, 申请日期: 1996-10-29, 公开日期: 1996-10-29
作者:  HATA, MASAHIKO;  FUKUHARA, NOBORU;  TAKATA, HIROAKI;  INUI, KATSUMI
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Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode 专利
专利号: US5566198, 申请日期: 1996-10-15, 公开日期: 1996-10-15
作者:  HORIE, HIDEYOSHI;  FUJIMORI, TOSHINARI;  NAGAO, SATORU;  HOSOI, NOBUYUKI;  GOTO, HIDEKI
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Semiconductor optical integrated circuits 专利
专利号: US5565693, 申请日期: 1996-10-15, 公开日期: 1996-10-15
作者:  SASAKI, TATSUYA;  KITAMURA, MITSUHIRO;  HAMAMOTO, KIICHI;  KITAMURA, SHOTARO;  KOMATSU, KEIRO
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Buried reverse bias junction configurations in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth and device structures utilizing the same 专利
专利号: US5563094, 申请日期: 1996-10-08, 公开日期: 1996-10-08
作者:  PAOLI, THOMAS L.;  EPLER, JOHN E.
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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP2563397B2, 申请日期: 1996-09-19, 公开日期: 1996-12-11
作者:  芹澤 晧之;  宇野 智昭
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光集積素子の製造方法 专利
专利号: JP2542570B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-09
作者:  水戸 郁夫;  村田 茂
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半導体レ-ザ 专利
专利号: JP2540850B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-09
作者:  曽根 春雄;  梅沢 勇雄;  米山 修
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半導体レ-ザ素子の製造方法 专利
专利号: JP2544924B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-16
作者:  高橋 向星;  須山 尚宏;  近藤 雅文;  早川 利郎
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Process for producing an electrically controllable matrix of vertically structured quantum well components 专利
专利号: US5534444, 申请日期: 1996-07-09, 公开日期: 1996-07-09
作者:  NISSIM, YVES;  BENSOUSSAN, MARCEL
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固体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP2524595B2, 申请日期: 1996-05-31, 公开日期: 1996-08-14
作者:  松野 明;  楡 孝
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