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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1996    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 10a, 页码: l1238-l1240 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 gallium arsenide  low temperature  As interstitials  As interstitial couples  molecular beam epitaxy  X-ray rocking curve  lattice parameter  GALLIUM-ARSENIDE  LAYERS  DEPENDENCE   Microstructure studies of PdGe/Ge ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing 期刊论文 applied surface science, 1996, 卷号: 100, 期号: 0, 页码: 530-533 Chen WD; Xie XL; Cui YD; Chen CH; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 GE   Photoluminescence of GaInP under high pressure 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 7177-7182 Dong JR; Li GH; Wang ZG; Lu DC; Liu XL; Li XB; Sun DZ; Kong MY; Wang ZJ 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  HYDROSTATIC-PRESSURE  ORDERED GA0.5IN0.5P  GROWTH TEMPERATURE  DEPENDENCE  GAP  SPECTRUM  ENERGY   Ordering along <111> and <100> directions in GaInP demonstrated by photoluminescence under hydrostatic pressure 期刊论文 applied physics letters, 1996, 卷号: 68, 期号: 12, 页码: 1711-1713 Dong JR; Wang ZG; Lu DC; Liu XL; Li XB; Sun DZ; Wang ZJ; Kong MY; Li GH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  GA0.5IN0.5P  DEPENDENCE  SPECTRUM  ENERGY  GROWTH