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半導体レーザ 专利
专利号: JP1995120836B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
作者:  北村 光弘;  麻多 進
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Gain-coupled DFB laser with index coupling compensation 专利
专利号: US5452318, 申请日期: 1995-09-19, 公开日期: 1995-09-19
作者:  MAKINO, TOSHI;  LI, GUO P.
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/23
半導体発光装置の製造方法 专利
专利号: JP1995046744B2, 申请日期: 1995-05-17, 公开日期: 1995-05-17
作者:  田中 一弘
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor double-channel-planar-buried-heterostructure laser diode effective against leakage current 专利
专利号: US5400355, 申请日期: 1995-03-21, 公开日期: 1995-03-21
作者:  ISHIDA, TOMOKO
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
Frequency stabilization method of semiconductor laser, frequency-stabilized light source and laser module 专利
专利号: US5392303, 申请日期: 1995-02-21, 公开日期: 1995-02-21
作者:  SHIOZAWA, TAKAHIRO
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/23
多波長光源半導体素子 专利
专利号: JP1995010020B2, 申请日期: 1995-02-01, 公开日期: 1995-02-01
作者:  柳瀬 知夫
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor optical device with mesa structure which is surrounded laterally by insulating mask 专利
专利号: EP0637111A1, 申请日期: 1995-02-01, 公开日期: 1995-02-01
作者:  KITAMURA, SHOTARO C/O NEC CORPORATION
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18
MEASUREMENTS OF THE TIP-LEAKAGE FLOW IN A TURBINE CASCADE WITH LARGE CLEARANCES 会议论文
ASME, Houston,Texas, 1995-06-05
S.De Cecco; M.I.Yaras; S.A.Sjolander
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/08/06
INTRACELLULAR LUCIFER-YELLOW LEAKAGE FROM NOVIKOFF CELLS IN THE PRESENCE OF ATP OR LOW EXTRACELLULAR CA - EVIDENCE FOR HEMI-GAP JUNCTION CHANNELS 期刊论文
methods and findings in experimental and clinical pharmacology, 1995
LIU, TF; LI, HY; ATKINSON, MM; JOHNSON, RG
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/14
Investigation of DSPE process and high performance 1m CMOS/SOS devices 期刊论文
pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 1995
Zhang, Xing; Shi, Yongquan; Lu, Quan; Huang, Chang
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13

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