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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1992     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Formation of electrode on iii-v compound semiconductor p layer 专利 专利号: JP1992010571A, 申请日期: 1992-01-14, 公开日期: 1992-01-14 作者:  UCHIDA AKIRA;  KOBAYASHI SHINJI;  YAGIHARA TAKESHI;  KAMATA HIROMI;  OKA SADAJI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 金属基复合材料 SiC_p/Al 中的残余应力及其力学性能 学位论文 博士, 中国科学院金属研究所: 中国科学院金属研究所, 1992 孙正明 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2012/04/10 EFFECTS OF OXYETHYLENE ON THERMODYNAMIC FUNCTION OF THE MICELLIZATION 期刊论文 物理化学学报, 1992 Li Xuegang; Zhao Guoxi 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Oxyethylenated surfactant  Thermodynamic function of micelliaztion   i-GaAlAs/GaAs HIGFETs器件参数的有限元分析 期刊论文 电子科学学刊, 1992, 期号: 05 顾聪; 王德宁; 王渭源 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 绝缘栅场效应晶体管  有限元分析  二维数值模拟