×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
西安光学精密机械研... [41]
金属研究所 [36]
半导体研究所 [32]
兰州大学 [27]
上海微系统与信息技... [23]
物理研究所 [18]
更多...
内容类型
期刊论文 [177]
专利 [42]
学位论文 [32]
会议论文 [4]
其他 [4]
发表日期
1991 [259]
学科主题
半导体物理 [14]
半导体材料 [13]
Instrument... [4]
materials ... [3]
Atomic [2]
Engineerin... [2]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共259条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:1991
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
长程有序金属间化合物FeAl和Fe_3Al合金的高温氧化行为
期刊论文
腐蚀科学与防护技术, 1991, 期号: 4, 页码: 10-13
谭明晖,郭建亭,孙超,李辉,赖万慧,王淑荷
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2012/04/12
金属间化合物:5926
高温氧化行为:4934
Fe_3Al合金:4742
长程有序:2210
抗氧化性能:2057
氧化增重:1785
1Cr18Ni9Ti不锈钢:1573
FeAl合金:1267
氧化动力学:1002
抛物线规律:798
德意志民主共和国科学院所藏吐鲁番汉文写本文献残卷
期刊论文
敦煌学辑刊, 1991, 期号: 2, 页码: 104-106
作者:
托马斯·提罗
;
桂林
;
秭渊
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/07/25
残卷:6902
佛教文献:3808
回鹘文文献:3323
吐火罗语:3167
摩尼教:1863
文书:1699
中亚:1680
日本学者:1618
音译:1610
佛教典籍:1541
Optical Absorption Properties of Electron Beam Evaporated a-Si_(1-x)Gd_x Films
期刊论文
Journal of Rare Earths, 1991, 期号: 4, 页码: 289-293
作者:
Gan RJ(甘润今)
;
Zhang FQ(张仿清)
;
Zhang JY(张津岩)
;
Liu GH(刘国汉)
;
Chen GH(陈光华)
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/06/24
Optical absorption
The rare earth element
a-Si film
Optical band gap
多队列双向循环移动服务系统的研究
期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1991, 期号: 4, 页码: 10-18
作者:
王思明
;
马自立
;
陈永义
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2016/07/28
多队列
双向循环
移动服务
L-S变换
真空电弧等离子射流蒸发法沉积超微粉
期刊论文
材料科学进展, 1991, 期号: 6, 页码: 489-493
林成福,黄荣芳,俞兵,钱声伟,关侃
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2012/04/12
等离子射流
蒸发
超微粉
反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1991, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 755-758
作者:
王印月
;
许怀哲
;
张仿清
;
陈光华
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/04/27
超晶格:7755
射频反应溅射法:4027
光学性质:3832
a-Si:H:2339
超晶格结构:912
量子尺寸效应:806
光学带隙:788
结构特性:745
半导体超晶格:671
X射线:603
硅_硅直接键合制造双极型静电感应晶体管
期刊论文
半导体技术, 1991, 期号: 6, 页码: 15-16
作者:
李思渊
;
桑保生
;
刘肃
;
杨建红
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/04/27
双极型静电感应晶体管:5936
硅直接键合:5404
BSIT:5372
击穿电压:1453
零栅偏压:945
高阻层:930
外延片:927
静电感应器件:860
三重扩散:844
电性能参数:709
Semiconductor device and manufacture thereof
专利
专利号: JP1991297185A, 申请日期: 1991-12-27, 公开日期: 1991-12-27
作者:
MIYAZAWA SEIICHI
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2020/01/13
Method of making monolithic integrated optoelectronic modules
专利
专利号: US5075239, 申请日期: 1991-12-24, 公开日期: 1991-12-24
作者:
TEGUDE, FRANZ-JOSEF
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Compound semiconductor device
专利
专利号: JP1991286588A, 申请日期: 1991-12-17, 公开日期: 1991-12-17
作者:
NISHIMURA TAKAYUKI
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2020/01/13
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace