反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究

	反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究
	王印月; 许怀哲; 张仿清; 陈光华
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	1991-12-27
卷号	12 期号:12 页码:755-758
关键词	超晶格:7755 射频反应溅射法:4027 光学性质:3832 a-Si:H:2339 超晶格结构:912 量子尺寸效应:806 光学带隙:788 结构特性:745 半导体超晶格:671 X射线:603
ISSN号	02534177
其他题名	Study on optical properties of reactive-sputtering a-Si:H/a-Ge:H superlattices
通讯作者	Wang, Yinyue
中文摘要	本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引起的界面结构无序,界面无H富集现象.
学科主题	712 Electronic and Thermionic Materials;741 Light, Optics and Optical Devices;931 Classical Physics; Quantum Theory; Relativity
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101499]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,许怀哲,张仿清,等. 反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,1991,12(12):755-758.
APA	王印月,许怀哲,张仿清,&陈光华.(1991).反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,12(12),755-758.
MLA	王印月,et al."反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 12.12(1991):755-758.