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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：1991    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS FOR QUASI-PARTICLE ENERGIES OF GAP AND GAAS 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 44, 期号: 16, 页码: 8707-8712 WANG JQ; GU ZQ; LI MF 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 EXCHANGE-CORRELATION POTENTIALS  DENSITY-FUNCTIONAL THEORY  ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  STRUCTURAL-PROPERTIES  ELECTRON  SILICON  PSEUDOPOTENTIALS  DISCONTINUITY  APPROXIMATION  INSULATORS   1ST PRINCIPLE CALCULATIONS OF QUASI-PARTICLE ENERGIES FOR BAND STRUCTURES OF SEMICONDUCTORS 期刊论文 communications in theoretical physics, 1991, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 169-194 WANG JQ; GU ZQ; WANG BS; LI MF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 NORM-CONSERVING PSEUDOPOTENTIALS  ANGLE-RESOLVED PHOTOEMISSION  DENSITY-FUNCTIONAL THEORY  GROUND-STATE  ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  CRYSTALLINE SILICON  ELECTRON  SI  INSULATORS  GAAS   BAND DISPERSION IN THE RECURSION METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 15, 页码: 12464-12469 WANG YL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  SILICON  DISLOCATIONS  ENVIRONMENT  DEFECTS  STATES   INTERFACIAL FORMATION PROCESS AND REACTIONS BETWEEN AU AND HYDROGENATED AMORPHOUS SI STUDIED BY XPS AND AES 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 1991, 卷号: 134, 期号: 0, 页码: 141-146 ZHONG ZT; WANG DW; LIAO XB; MOU SM; LI CF; FAN Y 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  FILMS  MICROSTRUCTURE  GOLD   2-DELTA-FUNCTION GENERALIZED PLASMA POLE MODEL FOR 1ST PRINCIPLE CALCULATIONS OF QUASI-PARTICLE ENERGIES IN MANY-ELECTRON SYSTEMS 期刊论文 communications in theoretical physics, 1991, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 395-402 WANG JQ; GU ZQ; LI MF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMICONDUCTORS  INSULATORS  SI  GE   CALCULATION OF DIELECTRIC-CONSTANTS FOR SEMICONDUCTORS - AN APPLICATION OF ABINITIO PSEUDOPOTENTIAL METHOD 期刊论文 chinese physics letters, 1991, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 21-24 WANG JQ; GU ZQ; LI MF 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/15 ZONE-CENTER PHONONS  CRYSTALS  MATRICES  SILICON  SI   PHYSICAL BEHAVIOR OF RUTHENIUM IN SILICON 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 4, 页码: 2746-2748 ZHOU J; WU JA; LU LW; HAN ZY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 CAPACITANCE TECHNIQUE   SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - EXPERIMENTAL-DETERMINATION BY THE DEEP-LEVEL CAPACITANCE TRANSIENT METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 17, 页码: 14040-14046 LI MF; ZHAO XS; GU ZQ; CHEN JX; LI YJ; WANG JQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  SEMICONDUCTORS  CAPTURE  CENTERS  ELECTRONS  EMISSION   IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVELS OF SI-RH 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 4, 页码: 2251-2255 ZHOU J; WU JA; LU LW; HAN ZY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  IMPURITIES  DEFECT