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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1983     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Manufacturing device for semiconductor 专利 专利号: JP1983125819A, 申请日期: 1983-07-27, 公开日期: 1983-07-27 作者:  KURODA TAKAROU;  SAWADA YASUSHI;  FUKUZAWA TADASHI 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Light probe head 专利 专利号: JP1983067088A, 申请日期: 1983-04-21, 公开日期: 1983-04-21 作者:  KONDOU SHIYUUJI;  NOYORI MASAHARU;  SHIRAGASAWA TSUYOSHI;  NAKADA YOSHIROU 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 Mixed-mode fracture mechanisms near the fatigue threshold of aisi-316 stainless-steel 期刊论文 Fatigue of Engineering Materials and Structures, 1983, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 137-147 作者:  Gao HJ(高华健);  Delosrios ER;  Miller KJ 收藏  |  浏览/下载：1657/76  |  提交时间：2009/08/03 对用72.5MeV_(12)C~(4+)轰击镍和不锈钢样品引起的辐照效应的研究 期刊论文 核技术, 1983, 期号: 6, 页码: 25-28+72 作者:  陈克勤;  程洁;  金运范;  侯明东;  李长林 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/25 碳离子  辐射损伤  空位  位错  镍  不锈钢  热激活  正电子湮没