|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1982210687A, 申请日期: 1982-12-24, 公开日期: 1982-12-24
作者: KUMABE HISAO; SOGOU TOSHIO; TAKAMIYA SABUROU
  收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1982194590A, 申请日期: 1982-11-30, 公开日期: 1982-11-30
作者: YAMAMOTO SABUROU; MURATA KAZUHISA; HAYASHI HIROSHI; TAKENAKA TAKUO
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1982192094A, 申请日期: 1982-11-26, 公开日期: 1982-11-26
作者: ENDOU KENJI
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 一类具多重特征的无解算子 期刊论文
数学研究与评论, 1982, 期号: 3, 页码: 15-18
作者: 牛培平
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/07/28
|
| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1982143887A, 申请日期: 1982-09-06, 公开日期: 1982-09-06
作者: SHINOHARA KOUJI; NISHIJIMA YOSHINDO; KAWABATA YOSHIO; FUKUDA HIROKAZU; YAMAMOTO KOOSAKU
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| A Short-Duration Blowdown Tunnel for Aerodynamic Studies on Gas Turbine Blading 会议论文
ASME, London,England, 1982-04-18
N.C.Baines; M.L.G.Oldfield; T.V.Jones; D.L.Schultz; P.I.King; L.C.Daniels
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2012/08/07 |
| 高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压 期刊论文
半导体学报, 1982, 期号: 06
程兆年; 袁云芳; 王渭源
收藏 | 浏览/下载：59/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| 苯乙烯辐射乳液聚合 学位论文
博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院长春应用化学研究所, 1982
张万喜
收藏 | 浏览/下载：83/0 | 提交时间：2011/01/17 |
| GAAS/GAALAS P-N-P-N NEGATIVE-RESISTANCE LASER WITH LOW THRESHOLD CURRENT-DENSITY 期刊论文
iee proceedings-i communications speech and vision, 1982, 卷号: 129, 期号: 6, 页码: 306-309
WANG SW; WU RH; ZHU QG; ZHANG QS; LI ZY; TIAN HL
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2010/11/15 |
