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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Snapback-free RC-IGBT with Si3N4 Trench and P-type Pillar 会议论文 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01 作者:  Cui, Lei;  Zhang, Bi Jun;  Wu, Peng Fei;  Ma, Li;  Zhang, Ru Jiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20 RC-IGBT  snapback effect  Si3N4 trench  p-type pillar