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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices 期刊论文 Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9 作者:  Liu, T.;  Xiang, D.;  Zheng, Y.;  Wang, Y. A.;  Wang, X. Y. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/09/17 homogeneous p-n junctions and inverters  MoTe2/BN heterostructures  nonvolatile and programmable  photodoping in MoTe2 devices  photoresist-free  transition-metal dichalcogenides  black phosphorus  mos2  wse2  inverters  graphene  diodes  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics