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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Suppression of Filament Overgrowth in Conductive Bridge Random Access Memory by TaO/TaO Bi-Layer Structure. 期刊论文 Nanoscale research letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1, 页码: 111 作者:  Danian Dong;  Xiulong Wu;  Tiancheng Gong;  Ming Liu;  Hangbing Lv 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/04/24 Bi-layer structure  CMOS-compatible process  Conductive bridge resistive switching memory  Reliability   Atomic Monte-Carlo Simulation for CBRAM with Various Filament Geometries 其他 2016-01-01 Zhao, Y. D.; Huang, P.; Guo, Z. H.; Lun, Z. Y.; Gao, B.; Liu, X. Y.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 RRAM  resistive switching  conductive filament  conductive bridge  Monte-Carlo  simulation  OXIDE  MEMORY   Physical model of dynamic Joule heating effect for reset process in conductive-bridge random access memory 期刊论文 JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 2014, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 432-438 作者:  Sun, PX;  Li, L;  Lu, ND;  Li, YT;  Wang, M 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25 Transient Joule heating effect  Conductive-bridge random access memory (CBRAM)  Switching process