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	Hybrid graphene heterojunction photodetector with high infrared responsivity through barrier tailoring 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 19, 页码: 7 作者: Zhou, Quan; Shen, Jun; Liu, Xiangzhi; Li, Zhancheng; Jiang, Hao 收藏 \| 浏览/下载：61/0 \| 提交时间：2019/03/25 graphene silicon Schottky junction barrier height infrared photodetector
	Enhancing the Photovoltage of Ni/n-Si Photoanode for Water Oxidation through a Rapid Thermal Process 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 8594, 8598 作者: Li, Shengyang; She, Guangwei; Chen, Cheng; Zhang, Shaoyang; Mu, Lixuan 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2018/12/28 Ni/n-Si photoanode water oxidation interface states Schottky barrier height photovoltage
	Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用研究学位论文 2016, 2016 赖淑妹收藏 \| 浏览/下载：140/0 \| 提交时间：2017/06/20 等离子体改性亲水性绝缘体上锗 Al/n-Ge接触肖特基势垒 plasma modification hydrophilicity Germanium on Insulator Al/n-Ge contact Schottky barrier height
	The effect of annealing temperature on the electronic parameters and carrier transport mechanism of Pt/n-type Ge Schottky diode 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 卷号: 62, 页码: 63-69 作者: Guo, Erjuan[1]; Zeng, Zhigang[2]; Zhang, Yan[3]; Long, Xiao[4]; Zhou, Haijun[5] 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/04/26 Schottky diodes Ge Annealing Ideality factor Barrier height
	The study of interaction and charge transfer at black phosphorus-metal interfaces 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48, 期号: 44, 页码: - Zhu, Sicong; Ni, Yun; Liu, Juan; Yao, Kailun 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2016/04/21 two dimensional (2D) black phosphorus (BP) Schottky barrier height (SBH)
	Influence of illumination intensity on the electrical characteristics and photoresponsivity of the Ag/ZnO Schottky diodes 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 631, 页码: 125-128 作者: Zhu, RuiJuan[1]; Zhang, XinAn[2]; Zhao, JunWei[3]; Li, RuoPing[4]; Zhang, WeiFeng[5] 收藏 \| 浏览/下载：7/0 \| 提交时间：2019/12/23 Schottky diodes Ideality factor Barrier height Series resistance
	Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者: Kim Seongjun; Seo Tae Hoon; Kim Myung Jong; Song Keun Man; Suh EunKyung 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES N-TYPE GAN THERMIONIC-FIELD-EMISSION SENSITIZED SOLAR-CELLS CONTACT RESISTANCE BARRIER HEIGHT ELECTRICAL CHARACTERISTICS TRANSPARENT ELECTRODES RAMAN-SPECTROSCOPY METAL CONTACTS graphene GaN Schottky diode Schottky barrier height Fermi level pinning
	金属氮化物与锗接触特性研究学位论文 2014, 2014 吴焕达收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2016/01/12 锗费米能级钉扎效应肖特基势垒高度氮化钛氮化钨 Ge Fermi-level pinning effect Schottky barrier height Titanium nitride Tungsten nitride
	Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 2 作者: Lu Yuan-Jie; Feng Zhi-Hong; Lin Zhao-Jun; Gu Guo-Dong; Dun Shao-Bo 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/17 Al(Ga)N/GaN Schottky barrier height current-transport mechanism leakage current
	NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究学位论文 2013, 2013 汤梦饶收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2016/01/13 Ni(Si1-xGex) NiGe 热稳定性费米能级钉扎效应势垒高度 Ni(Si1-xGex) NiGe Thermal stability Fermi-level pinning effect Schottky barrier height

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