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Study of gamma-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: Vol.120, 页码: 313-318
作者:  Li, Yun;  Ma, Yao;  Lin, Wei;  Dong, Peng;  Yang, Zhimei
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/02/25
Study of gamma-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: Vol.120, 页码: 313-318
作者:  Li, Yun;  Ma, Yao;  Lin, Wei;  Dong, Peng;  Yang, Zhimei
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Identifying defect energy levels using dlts under different electron irradiation conditions 期刊论文
Nuclear science and techniques, 2017, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Guo, Chun-Sheng;  Wang, Ruo-Min;  Zhang, Yu-Wei;  Pei, Guo-Xi;  Feng, Shi-Wei
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/04/23
Control of a high temperature DLTS setup 学位论文
: Uppsala University, 2017
作者:  Marklund,Daniel
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/24
Characterization of InGaN by Means of I-V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS 期刊论文
ARABIAN JOURNAL FOR SCIENCE AND ENGINEERING, 2015, 卷号: 40, 页码: 263-268
作者:  Asghar, H. M. Noor ul Huda Khan;  Gilani, Zaheer Abbas;  Awan, M. S.;  Ahmad, I.;  Tan, Yi
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/09
利用DLTS技术研究黑硅的钝化和表面态 学位论文
: 大连理工大学, 2013
作者:  邓彤
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/13
Deep level transient spectroscopy investigation of deep levels inCdS/CdTe thin film solar cellswith Te：Cu back contact 期刊论文
中国物理：英文版, 2010, 卷号: 第19卷, 页码: 461-464
作者:  王钊;  黎兵;  郑旭;  谢婧;  黄征
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/03/26
The effect of different preparation temperatures on the photoelectric properties of CdTe films and solar cells 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2010, 卷号: Vol.59 No.1, 页码: 625-629
作者:  Li, YJ;  Zheng, JG;  Feng, LH;  Li, B;  Zeng, GG
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/03/26
Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity si sensors/detectors 期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 283-287
作者:  Li, Z.;  Li, C. J.
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 283-287
Li Z (Li Z.); Li CJ (Li C. J.)
收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11

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